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IPB200N15N3 G

型号: IPB200N15N3 G 品牌: Infineon(英飞凌)

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IPB200N15N3 G由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPB200N15N3 G价格参考￥3.329100。Infineon(英飞凌)IPB200N15N3 G封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 90uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,150V,50A,20mΩ@10V

商品详情
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 90uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,150V,50A,20mΩ@10V