￥4.5613

TPS1100DR

型号: TPS1100DR 品牌: TI(德州仪器)

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  • 总 价:￥4.5613
  • 包 装:「圆盘 / 2500」
  • 库 存:8173
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  • 1+ ￥4.5613
  • 10+ ￥4.4685
  • 30+ ￥4.3757
  • 100+ ￥4.2829
  • 500+ ￥4.1886
  • 1000+ ￥4.0943

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TPS1100DR由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,TPS1100DR价格参考￥4.561300。TI(德州仪器)TPS1100DR封装/规格：SOP-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.6A 漏源电压（Vdss）：15V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：791mW 类型：P沟道 TPS1100 单路 P 通道增强-模式 MOSFET

商品详情
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.6A 漏源电压（Vdss）：15V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：791mW 类型：P沟道 TPS1100 单路 P 通道增强-模式 MOSFET