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VBE1104N

型号: VBE1104N 品牌: VBsemi(台湾微碧)

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  • 总 价:￥8.3394
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  • 30+ ￥8.2278
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  • 500+ ￥8.1162
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VBE1104N由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBE1104N价格参考￥8.339400。VBsemi(台湾微碧)VBE1104N封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：34mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.75W 类型：N沟道 N沟道,100V,35A,40mΩ@10V

商品详情
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：34mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.75W 类型：N沟道 N沟道,100V,35A,40mΩ@10V