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VBE1203M

型号: VBE1203M 品牌: VBsemi(台湾微碧)

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  • 总 价:￥1.0296
  • 包 装:「圆盘 / 2500」
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  • 1+ ￥1.0296
  • 10+ ￥1.0253
  • 30+ ￥1.021
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  • 500+ ￥1.0124
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VBE1203M由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBE1203M价格参考￥1.029600。VBsemi(台湾微碧)VBE1203M封装/规格：TO252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：245mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96W(Tc) 类型：N沟道

商品详情
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：245mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96W(Tc) 类型：N沟道