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VBM1101N
型号: VBM1101N
品牌: VBsemi(台湾微碧)
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VBM1101N由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBM1101N价格参考¥5.312400。VBsemi(台湾微碧)VBM1101N封装/规格:TO-220AB,连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W 类型:N沟道 N沟道,100V,100A,9mΩ@10V
商品详情
连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W 类型:N沟道 N沟道,100V,100A,9mΩ@10V