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CSD19537Q3T
型号: CSD19537Q3T
品牌: TI(德州仪器)
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CSD19537Q3T由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD19537Q3T价格参考¥2.089200。TI(德州仪器)CSD19537Q3T封装/规格:VSON-CLIP-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3.6V @ 250uA 漏源导通电阻:14.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.8W 类型:N沟道 CSD19537Q3 CSD19537Q3,100V N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
商品详情
连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3.6V @ 250uA 漏源导通电阻:14.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.8W 类型:N沟道 CSD19537Q3 CSD19537Q3,100V N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET