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NGTB10N60R2DT4G

型号: NGTB10N60R2DT4G 品牌: ON(安森美)

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  • 10+ ¥5.458
  • 30+ ¥5.3664
  • 100+ ¥5.2748
  • 500+ ¥5.1832
  • 1000+ ¥5.0916

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NGTB10N60R2DT4G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NGTB10N60R2DT4G价格参考¥5.545900。ON(安森美)NGTB10N60R2DT4G封装/规格:TO-252-2(DPAK),栅极阈值电压-VGE(th):7V @ 160uA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.1V @ 15V,10A 集电极电流(Ic)(最大值):20A 集射极击穿电压(最大值):600V 类型:- N 沟道,600V,10A


商品详情
栅极阈值电压-VGE(th):7V @ 160uA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.1V @ 15V,10A 集电极电流(Ic)(最大值):20A 集射极击穿电压(最大值):600V 类型:- N 沟道,600V,10A