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DMG6601LVT-7 N+P MOS ±30V ±12V 3.4A/-2.3A 场效应管

型号: DMG6601LVT-7 品牌: DIODES(美台)

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  • 总 价:￥3.055
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  • 150+ ￥3.0386
  • 500+ ￥3.0304
  • 2500+ ￥3.0222
  • 5000+ ￥3.0111

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DMG6601LVT-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMG6601LVT-7价格参考￥3.055000。DIODES(美台)DMG6601LVT-7封装/规格：TSOT-26,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.8A,2.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 3.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：850mW 类型：N沟道和P沟道

商品详情
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.8A,2.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 3.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：850mW 类型：N沟道和P沟道